[发明专利]用于探测导电材料中的异常的微分传感器、检验系统和方法有效

专利信息
申请号: 201380058110.7 申请日: 2013-09-04
公开(公告)号: CN104903717B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: M.策克;R.P.乌利希;M.乔尔科夫斯基;H.布劳尔 申请(专利权)人: 霍释特博士有限两合公司
主分类号: G01N27/82 分类号: G01N27/82;G01N27/90
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱君;刘春元
地址: 德国里*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 用于探测导电材料中的异常的微分传感器具有:永磁体(PM);具有一个或多个第一绕组的第一线圈(S1),所述第一绕组围绕永磁体走向并且定义第一线圈轴(A1);具有一个或多个第二绕组的第二线圈(S2),所述第二绕组围绕永磁体走向并且定义第二线圈轴(A2),所述第二线圈轴横向于、尤其是垂直于第一线圈轴走向。优选地,还提供与之垂直定向的第三线圈(S3)。磁通量变化的分量能够针对多个空间方向分开被检测并且评估。传感器是检验系统的一部分,所述检验系统包括传感器和评估设备(A),所述评估设备配置用于针对每个线圈分开检测微分传感器的线圈(S1、S2、S3)的绕组中感应的电压或者从中推导出的信号以及通过应用至少一个评估方法将它们相关。
搜索关键词: 用于 探测 导电 材料 中的 异常 微分 传感器 检验 系统 方法
【主权项】:
1.用于探测导电材料中的异常的微分传感器,所述微分传感器具有:包括磁北极、磁南极和磁轴的永磁体(PM),所述磁轴为磁北极与磁南极之间的连线;具有一个或多个第一绕组的第一线圈(S1),所述第一绕组围绕所述永磁体走向并且定义第一线圈轴(A1),所述第一线圈轴平行于所述永磁体的磁轴走向;以及具有一个或多个第二绕组的第二线圈(S2),所述第二绕组围绕所述永磁体走向并且定义第二线圈轴(A2),所述第二线圈轴横向于第一线圈轴走向。
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