[发明专利]等离子体处理装置以及方法无效

专利信息
申请号: 201380055979.6 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN104813746A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 深泽信司;浅野敬祐;上山浩幸 申请(专利权)人: 株式会社JCU
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;B08B7/00;H01L21/304
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供均匀地进行针对被处理物的基于等离子体的表面处理的等离子体处理装置以及方法。将基板(11)保持在保持部(33)而收容在处理室内。对置于基板(11)的表面而配置有电极组(31,32),各电极组(31,32)通过排列有高频电极(25)以及接地电极(26)的第1电极部(31a,32a)和第2电极部(31b,32b)构成。使从导入口释放的过程气体在各电极(25,26)之间穿过而产生等离子体。通过所产生的等离子体,将基板(11)的表面的污染物质去除。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 以及 方法
【主权项】:
一种等离子体处理装置,将被处理物收容在处理室内,通过导入到成为真空的处理室内的过程气体来产生等离子体,通过该等离子体对被处理物进行处理,上述等离子体处理装置中具备:导入口,将过程气体向处理室内导入;电源,输出等离子体产生用的高频电压;以及电极组,上述电极组具备:将以规定的间隔相互平行地排列的多个棒状的电极与被处理物对置且分离配置的第一电极部、和夹着上述第一电极部而对置于被处理物并且与上述第一电极部分离配置的第二电极部,通过来自上述电源的高频电压使过程气体激发而产生等离子体。
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