[发明专利]具有提高的可靠性和工作寿命的半导体器件及其制造方法

摘要

描述了用于制造展示出提高的寿命和可靠性的半导体晶片结构的方法。这些方法包括将有源半导体层结构从原生非晶格匹配的半导体生长基板转移到工作基板，其中应变匹配层以及可任选地有源半导体层结构的一部分被去除。在某种实施例中，将有源半导体层结构附接于工作基板的过程包括在高温下退火达规定时间。本文所描述的方法能够被用来制造在整个有源半导体层结构内具有低浓度的位错缺陷的且不包含存在于原生半导体生长基板内的高度错位的应变匹配层的工作半导体晶片结构。

主权项

一种用于制造将半导体器件制作于其上的工作半导体晶片结构的方法，所述方法包括：从原生半导体生长晶片开始，所述原生半导体生长晶片包含：具有第一晶格常数x1的原生生长基板；具有与所述第一晶格常数x1相差至少1％的第二晶格常数x2的有源半导体层结构；以及布置于所述原生生长基板与所述有源半导体层结构之间的一个或多个单晶应变匹配层；将所述有源半导体层结构的至少一部分转移到工作基板；以及去除所述原生半导体的所述一个或多个单晶应变匹配层的至少一部分，由此所述工作半导体晶片结构被形成并包含所述工作基板、所述原生半导体生长晶片的所述有源半导体层结构的至少一部分，但不包含所述原生半导体生长晶片的所述一个或多个单晶应变匹配层的至少一部分。