[发明专利]用于增大MEMS辐射热测量计中的红外吸收的装置和方法有效
| 申请号： | 201380055299.4 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104755890B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | A·萨马奥;G·奥布赖恩 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;A·萨马奥;G·奥布赖恩 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;G01J5/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体传感器包括衬底和吸收体。所述衬底包括至少一个反射部件。所述吸收体与所述至少一个反射部件间隔开一距离。所述吸收体限定多个开口，所述多个开口中的每一个具有小于或等于所述距离的最大宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增大 mems 辐射热 测量计 中的 红外 吸收 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体传感器，其包括：衬底，所述衬底包括多个第一反射部件和多个第二反射部件；和吸收体，其与所述多个第一反射部件间隔开第一距离且与所述多个第二反射部件间隔开第二距离，所述吸收体限定多个开口，所述开口中的每一个具有小于或者等于所述第一距离和第二距离的最大宽度。
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