[发明专利]用于非易失性存储器的灵活磨损管理有效
| 申请号： | 201380054985.X | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104756088B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | P.丹勒;R.法伯;N.谢 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00;G06F13/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 徐予红,姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器单元磨损管理的系统和方法能够实现跨存储器单元地址空间的写周期的更均匀分布。系统和方法允许将经受大量写周期的存储器单元的物理地址与经受较少量写周期的存储器单元的物理地址交换。如果存储器单元群组的写周期计数超过指定阈值，则该存储器单元群组的物理地址是“热地址”。如果存储器单元群组的写周期计数未超过指定阈值，则该存储器单元群组的物理地址是“冷地址”。系统和方法允许动态增大写周期计数的指定阈值以确保冷地址可用于与存储器单元地址空间中的热地址交换。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 灵活 磨损 管理 | ||
【主权项】：
一种在计算机系统中执行存储器单元磨损管理的方法，包括：跟踪第一存储器部分已经受的写周期的第一数量，所述第一存储器部分具有第一物理存储器地址；响应于用于所述第一存储器部分的写周期的所述第一数量已超过第一指定阈值，将所述第一物理存储器地址与第二物理存储器地址交换，所述第二物理存储器地址对应于已经受低于所述第一指定阈值的第二数量的写周期的第二存储器部分；在具有所述第二物理存储器地址的所述第二存储器部分上执行数据写入操作；以及响应于预确定的事件，将所述第一指定阈值增大预确定的量。
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