[发明专利]多晶硅制造用原料气体的供给方法和多晶硅有效
| 申请号： | 201380054109.7 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104736480B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 黑泽靖志;祢津茂义 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 杨海荣,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明的方法中，通过调整供给至用于通过西门子法制造多晶硅的反应炉的原料气体的动能(原料气体供给喷嘴喷出口处的原料气体的流速和供给量)，控制爆米花的产生率。具体而言，在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时，在原料气体供给喷嘴(9)的气体供给口处的原料气体的流速设为u(m/sec)、原料气体供给量设为Q(kg/sec)、反应炉(100)的内部容积设为V(m3)时，以使得值Q×u2/V的合计Σ(Q×u2/V)为2500(kg/m·sec3)以上的方式设定原料气体供给喷嘴(9)各自的u和Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 原料 气体 供给 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅制造用原料气体的供给方法，向用于通过西门子法制造多晶硅的反应炉中供给原料气体，其特征在于：使用配置有一个以上原料气体供给喷嘴的反应炉，使得反应炉内的所述原料气体的流动模式在反应炉中心部呈上升流且在反应炉外壁侧部呈下降流；在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时，在所述原料气体供给喷嘴的气体供给口处的原料气体的流速设为u(m/sec)、原料气体供给量设为Q(kg/sec)、所述反应炉的内部容积设为V(m3)时，以使得值Q×u2/V的合计Σ(Q×u2/V)为2500(kg/m·sec3)以上的方式设定所述原料气体供给喷嘴各自的u和Q的值。
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