[发明专利]钽溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201380053775.9 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN105431565B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 仙田真一郎;永津光太郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率大于70％，且(222)面的取向率为30％以下。通过控制靶的晶体取向，具有如下效果：降低钽靶的放电电压，从而容易产生等离子体，并且提高等离子体的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 钽溅射靶 等离子体 取向率 放电电压 晶体取向 溅射面 钽靶 制造 | ||
【主权项】：
一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率大于70％，且(222)面的取向率为9.9％以上且30％以下，所述(200)面的取向率由下式计算：{[通过X射线衍射法得到的(200)的测定强度/(200)的JCPDS强度]/Σ(通过X射线衍射法得到的各面的测定强度/各面的JCPDS强度)}×100％；所述(222)面的取向率由下式计算：{[通过X射线衍射法得到的(222)的测定强度/(222)的JCPDS强度]/Σ(通过X射线衍射法得到的各面的测定强度/各面的JCPDS强度)}×100％。
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