[发明专利]具有改善性能的发光晶体管在审
申请号: | 201380053654.4 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104718638A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | A·菲奇提 | 申请(专利权)人: | 破立纪元有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 尹吉伟 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了具有新的结构的发光晶体管,该发光晶体管可产生增强的器件亮度,具体地,经由结合额外的电绝缘元件(22,24)产生增强的器件亮度,该电绝缘元件(22,24)可有利于电荷定位且进而有利于载流子复合和激子形成。 | ||
搜索关键词: | 具有 改善 性能 发光 晶体管 | ||
【主权项】:
一种发光晶体管器件,其包括:衬底;栅电极;通道层,所述通道层包括一个或多个有机子层,所述一个或多个有机子层包括:第一子层,所述第一子层包括电子传输半导体材料,第二子层,所述第二子层包括空穴传输半导体材料,以及第三子层,所述第三子层包括电致发光半导体材料并且位于所述第一子层和所述第二子层之间;栅绝缘层,所述栅绝缘层位于所述栅电极和所述通道层之间;以及空穴电极和电子电极,所述空穴电极和所述电子电极以限定在两者之间的通道区域的长度(L)的平面距离相互间隔开,所述空穴电极和所述电子电极独立地与所述通道层的所述第一子层和所述第三子层中的一个接触;其中所述通道层还包括以下元件中的至少一个:第一电绝缘元件,所述第一电绝缘元件位于所述空穴电极和所述通道层的所述第一子层和所述第三子层中的另一个之间,以及第二电绝缘元件,所述第二电绝缘元件在所述电子电极和所述通道层的所述第一子层和所述第三子层中的另一个之间,其中所述第一电绝缘元件和所述第二电绝缘元件不单独地和组合地延伸所述通道区域的整个长度。
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