[发明专利]带有保护膜形成层的切片及芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201380051745.4 | 申请日： | 2013-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN104685609B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 高山佳;篠田智则;佐伯尚哉;高野健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J133/02;C09J7/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性的保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也不变形。本发明的带有保护膜形成层的切片(10)的特征在于，将固化性的保护膜形成层(4)可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体(3)的内周部上，且该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜形成层 切片 固化性 储能模量 不变形 可剥离 内周部 外周部 预切割 粘合部 支撑体 冲刀 脱模 粘接 固化 制造 芯片 加工 | ||
【主权项】：
一种带有保护膜形成层的切片，其由固化性的保护膜形成层可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体的内周部上而形成，保护膜形成层含有粘合剂聚合物成分及加热固化性成分，且粘合剂聚合物成分是玻璃化转变温度为‑50℃以上且15℃以下的丙烯酸类聚合物，所述保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.7～2.5GPa。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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