[发明专利]三端子PIN二极管无效
申请号: | 201380051221.5 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN104685612A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | G·范齐尔;G·G·古罗夫 | 申请(专利权)人: | 先进能源工业公司 |
主分类号: | H01L21/331 | 分类号: | H01L21/331;H01L29/737 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开内容描述了具有集电极、基极、发射极以及位于所述集电极与所述基极之间的本征区的开关。所述本征区提高了开关的效率并且降低了损耗。所述集电极、基极和发射极均具有相应的端子,并且通过所述基极端子的电流的AC分量大于通过所述发射极端子的电流的AC分量。此外,在接通状态下,所述基极端子与所述集电极端子之间的第一交流电流大于所述集电极端子与所述发射极端子之间的第二交流电流。换言之,AC主要在所述集电极与所述基极之间传递,并且由所述基极与所述发射极之间的DC电流来控制。 | ||
搜索关键词: | 端子 pin 二极管 | ||
【主权项】:
一种开关,包括:具有集电极端子的集电极;具有发射极端子的发射极;在基极‑发射极结处耦合到所述发射极的基极,所述基极具有基极端子;以及被布置在所述基极与所述集电极之间的本征区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造