[发明专利]三端子PIN二极管

权利要求书

1.一种开关，包括：

具有集电极端子的集电极；

具有发射极端子的发射极；

在基极-发射极结处耦合到所述发射极的基极，所述基极具有基极端子；以及

被布置在所述基极与所述集电极之间的本征区。

2.根据权利要求1所述的开关，还包括接通状态，其中，所述基极-发射极结被正向偏置，并且通过所述基极端子的第一电流的AC分量大于通过所述发射极端子的第二电流的AC分量。

3.根据权利要求2所述的开关，还包括关断状态，其中，所述基极-发射极结被反向偏置，并且向至少包括所述基极、所述本征区和所述集电极的PIN结施加反向偏置。

4.根据权利要求3所述的开关，其中，所述PIN结在所述本征区与所述集电极之间包括一个或多个掺杂区。

5.根据权利要求3所述的开关，其中，所述PIN结在所述本征区与所述基极之间包括一个或多个掺杂区。

6.根据权利要求3所述的开关，其中，所述PIN结在所述本征区与所述集电极之间并且在所述本征区与所述基极之间包括一个或多个掺杂区。

7.根据权利要求1所述的开关，其中，所述集电极是n型半导体，所述基极是p型半导体，并且所述发射极是n型半导体。

8.根据权利要求7所述的开关，其中，所述本征区是未掺杂的。

9.根据权利要求7所述的开关，其中，所述本征区是轻掺杂的。

10.根据权利要求7所述的开关，其中，所述集电极、所述基极和所述发射极中的任何一个或多个是轻掺杂的。

11.根据权利要求7所述的开关，其中，所述集电极、所述基极和所述发射极中的任何一个或多个是重掺杂的。

12.根据权利要求1所述的开关，其中，所述集电极是p型半导体，所述基极是n型半导体，并且所述发射极是p型半导体。

13.根据权利要求1所述的开关，其中，所述本征区的击穿电压大于或等于1000V。

14.根据权利要求1所述的开关，其中，在接通状态下，基极电流通过所述基极端子，并且所述基极电流的AC分量的大小大于所述基极电流的直流分量的大小。

15.一种操作开关的方法，包括：

提供包括基极、发射极和集电极的所述开关，所述开关在所述集电极与所述基极之间具有本征区，所述基极具有基极端子，所述发射极具有发射极端子，并且所述集电极具有集电极端子；

在所述集电极端子与所述基极端子之间传导第一电流，其中，所述第一电流具有具有第一幅度的交流分量；

在所述集电极端子与所述发射极端子之间传导第二电流，其中，所述第二电流具有具有第二幅度的交流分量；

在所述基极端子与所述发射极端子之间传导第三电流；以及

经由所述第三电流控制所述第一电流。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一幅度大于所述第二幅度。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括将基极-发射极结正向偏置，以接通所述开关，所述基极-发射极结存在于所述基极与所述发射极之间。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括通过将所述基极-发射极结反向偏置来关断所述开关，并且在所述集电极与所述基极之间施加偏置以使所述集电极端子处于比所述基极端子高的电势。

19.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述本征区与所述集电极之间提供一个或多个掺杂区。

20.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述本征区与所述基极之间提供一个或多个掺杂区。

21.根据权利要求15所述的方法，还包括跨所述本征区施加大于或等于500V的反向偏置。

22.一种开关，包括：

具有集电极端子的集电极；

具有发射极端子的发射极；

具有基极端子的基极，所述基极经由基极-发射极结耦合到所述发射极；以及

被布置在所述基极与所述集电极之间的本征区，

其中，通过所述基极端子的交流电流的幅度大于通过所述发射极端子的交流电流的幅度。

23.根据权利要求22所述的开关，还包括具有非暂态计算机可读存储介质的控制器，所述介质被利用处理器可读指令进行了编码，以执行用于操作所述开关的方法，所述方法包括：

施加从所述基极到所述发射极的直流电流，所述直流电流的幅度控制通过所述基极端子的所述交流电流的所述幅度。