[发明专利]等离子体处理装置及用于处理至少一块基片的方法无效
| 申请号： | 201380051002.7 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104704142A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | R·贝克曼;S·诺尔克;B·胡斯;S·卡斯特尔;B·梅尔 | 申请（专利权）人： | 曼兹股份公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;杨勇 |
| 地址： | 德国罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于处理至少一块基片的一种方法和一种等离子体处理装置，其具有：等离子体处理腔(12)，在该腔中可产生供处理该基片(1)用的等离子体；至少一个通入该等离子体处理腔(12)中的进气口(16)，以用于导入至少一种过程气体(15)；真空泵装置(18)，其经出气口(20)与该等离子体处理腔(12)呈流动连接，该真空泵装置在2-50Pa的压力范围内按分子氮(N2)计且标准化到该等离子体处理腔(12)的内表面的有效抽吸能力为至少1500m3/h每平方米等离子体处理腔(12)内表面。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 用于 至少 一块 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理至少一块基片(1)的等离子体处理装置，其具有：‑一个等离子体处理腔(12)，在该腔中可产生供处理该基片(1)用的等离子体(14)，‑至少一个通入该等离子体处理腔(12)中的进气口(16)，以用于导入至少一种过程气体(15)，‑一个真空泵装置(18)，其经出气口(20)与该等离子体处理腔(12)呈流动连接，该真空泵装置在2‑50Pa的压力范围内按分子氮(N2)计且标准化到该等离子体处理腔(12)的内表面的有效抽吸能力为至少1500m3/h每平方米等离子体处理腔(12)内表面。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
