[发明专利]表面被覆膜的形成方法和具有表面被覆膜的太阳能电池有效
| 申请号： | 201380050849.3 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104685611B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 上迫浩一;吉叶修平;谷津克也 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社;国立大学法人东京农工大学 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种表面被覆膜的形成方法，其能通过简单的形成方法形成特性优异的表面被覆膜，降低太阳能电池等最终产品的制造成本。该表面被覆膜的形成方法中，将包含表面被覆膜形成用化合物成分和有机溶剂成分的表面被覆膜形成用组合物涂布于被覆对象基材，形成涂布膜，对所述涂布膜进行烧成，形成具有选自Si、Ti、Zr元素中的2种以上元素的表面被覆膜，其中，所述表面被覆膜形成用化合物成分具有选自Si、Ti、Zr元素的2种以上元素，所述有机溶剂成分含有一元醇类和酮类。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 被覆 形成 方法 具有 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种具有选自Si、Ti、Zr元素中的2种以上元素的表面被覆膜的形成方法，其包括以下工序：涂布工序，将包含表面被覆膜形成用化合物成分和有机溶剂成分的表面被覆膜形成用组合物涂布于被覆对象基材，形成涂布膜，其中，所述表面被覆膜形成用化合物成分具有选自Si、Ti、Zr元素的2种以上元素；烧成工序，对所述涂布膜进行烧成，所述表面被覆膜形成用化合物成分包含在酸催化剂下的部分水解产物，所述部分水解产物是具有Si、Ti、Zr中的任一种的、醇化物及乙酰丙酮化物的部分水解产物，所述有机溶剂成分含有一元醇类和酮类。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
