[发明专利]用于制造微载体以及进行生物分析的方法有效

专利信息
申请号: 201380049044.7 申请日: 2013-07-23
公开(公告)号: CN104640804B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 拉斐尔·托尔奈;尼古拉斯·德米埃尔;斯蒂芬·甘伯;菲利普·赫诺 申请(专利权)人: 麦卡提斯有限责任公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01N15/14;G01N33/543;B01L3/00
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 汤国华
地址: 比利时*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要: 根据本发明的方法包括提供一种具有底层(16),第一舍弃顶层(17)和绝缘层(18)的晶片(15),设计第一舍弃层的结构以形成第一结构层被沉积在其上的三维结构,从而在第一结构层的下表面上勾勒出对应的三维结构。该方法也包括在第一结构层的上表面上形成第二个三维结构。
搜索关键词: 用于 制造 载体 以及 进行 生物 分析 方法
【主权项】:
一种用于至少制造微载体的方法,该方法包含下列步骤:a)提供具有夹层结构的晶片(15),所述晶片包含底层(16)、第一舍弃顶层(17)、和位于所述底层和顶层(16,17)之间的绝缘层(18);b)构造第一舍弃层(17)以形成第一掩模,所述第一掩模勾画第一三维负性图案(21);c)在第一舍弃层(17)上沉积第一结构层(23)以形成与第一三维负性图案(21)互补的第一三维结构;d)在第一结构层(23)的顶面上沉积第二舍弃层(25);e)构造第二舍弃层(25)以限定第二掩模,所述第二掩模在第一结构层(23)的顶面上勾画第二三维负性图案(28);f)在第二三维负性图案(28)中沉积第二结构层(29)以在第一结构层的上表面上形成第二三维结构;g)从第一结构层(23)和第二结构层(29)之上向下至绝缘层进行蚀刻去除,以勾画微载体(31)的本体的侧壁(33),每个本体至少包含第一个下部三维结构(24)和第二个上部三维结构(29);h)蚀刻掉绝缘层(18)、底层(16)和舍弃层以释放微载体。
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