[发明专利]晶片和用于制造带表面结构的晶片的方法

摘要

描述一种晶片，该晶片具有带较小延展性的原料作为原材料(4)，原材料具有至少一个暴露的表面，其中具有可自由选择的材料特性的至少一个预制的涂装层(1)在形成合成结构期间涂装在原材料(4)的暴露的表面上，其中合成结构以正在方式施加以内部和/或外部应力场，使得原材料(4)沿着内部平面在形成晶片期间分裂，其中晶片具有带可通过原材料的特性改变的基本上可预定的图样的得出的分裂面上的类似浮雕的表面结构。 1

主权项

1.一种晶片，其具有带较小延展性的原料作为原材料(4)，所述原材料具有至少一个暴露的表面，其中具有材料特性的至少一个预制的涂装层(1)在形成合成结构期间涂装在所述原材料(4)的暴露的表面上，其中所述预制的涂装层具有预置的构造，其中对所述合成结构以这种方式施加以内部和/或外部应力场，使得所述原材料(4)沿着内部平面在形成晶片期间分裂，其中所述晶片具有带可预定的图样的得出的分裂面上的类似浮雕的表面结构，所述图样能通过原材料的特性改变，其中所述涂装层设计成定义的预制的聚合物薄片，并且其中对所述合成结构施加以应力场借助于温度诱发的和/或温度梯度诱发的机械应力场实现，所述机械应力场将所述合成结构沿着原材料(4)的内部平面分裂。

2.如权利要求1所述的晶片，所述晶片具有分裂面上的表面结构，其通过暴露的表面和原材料的边缘几何形状如此预定，使得分裂面上的表面与暴露的表面是互补的和/或与原材料的边缘几何形状是互补的。

3.如权利要求2所述的晶片，其中得出的分裂面上的表面结构具有以开放和封闭的瓦纳线形式的可预定的图样，并且其中所述封闭的瓦纳线对应于原材料的边缘几何形状。

4.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中得出的分裂面上的表面结构具有瓦纳线和横向于所述瓦纳线延伸的浮雕线形式的可预定的图样。

5.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述涂装层(1)关于其物理特性被明确地预制和/或硬化和/或退火。

6.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述涂装层(1)关于其在0.1‑10mm的区域中的不同层厚度、不同的温度相关的弹性常数和/或膨胀系数被明确地预制和/或硬化和/或退火。

7.如权利要求6所述的晶片，其中所述涂装层(1)关于其在0.4‑1mm的区域中的不同层厚度被明确地预制和/或硬化和/或退火。

8.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述涂装层(1)相对于要分裂的原材料(4)的形式被如此裁剪，使得以这样的方式确保合成结构的准确定义的边缘闭合。

9.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中在原材料的表面或两个位置相对的表面上两个或更多个涂装层(1)彼此无关地并且与要分裂的原材料(4)无关地制造。

10.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中在原材料的表面或两个位置相对的表面上两个或更多个涂装层(1)在彼此无关的温度的情况下被时效硬化。

11.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述涂装层(1)具有预制的构造。

12.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述涂装层具有侧向变化的厚度轮廓和/或局部变化的弹性的常数和/或局部变化的热膨胀系数。

13.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述聚合物是聚二有机硅氧烷。

14.如权利要求13所述的晶片，所述聚合物是聚二甲基硅氧烷PDMS。

15.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中要分裂的原材料(4)是硅和/或锗/和/或蓝宝石和/或金刚石和/或玻璃和/或氮化硅，并且其中所述涂装层或聚合物薄片由粘性流动的两组分材料制造，所述两组分材料通过平表面上的铸造法和接着的时效硬化制造。

16.如权利要求15所述的晶片，其中所述粘性流动的两组分材料是聚二甲基硅氧烷PDMS。

17.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述预制的涂装层借助于粘合剂牢固地固定在要分裂的原材料(4)上，并且其中在原材料(4)和涂装层(1)之间设置粘合剂层(2)。

18.如权利要求17所述的晶片，其中所述预制的涂装层通过借助于压辊或滚筒的辗压牢固地固定在要分裂的原材料(4)上，其中所述粘合剂层被设置作为PDMS薄膜。

19.如权利要求1到3中任一项所述的晶片，其中所述原材料(4)由砷化镓构成。

20.一种用于制造如权利要求1到19中任一项所述的晶片的方法，用于由硅和/或锗/和/或蓝宝石和/或金刚石和/或玻璃和/或氮化硅和/或砷化镓制造薄晶片的方法。