[发明专利]药物包装的SiOx 阻隔物和涂布方法在审
申请号: | 201380045837.1 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN106170582A | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | C·威卡尔特;J·T·费尔特斯;T·E·费斯克;R·S·阿伯拉姆斯;J·弗格森;J·R·弗里德曼;R·J·潘格伯恩;P·J·萨高纳 | 申请(专利权)人: | SIO2医药产品公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/04;A61J1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王贵杰 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 披露了一个容器,该容器包括封闭一个内腔的一个热塑性壁。该壁支撑在该壁与该内腔之间的一个SiOx复合阻隔涂层或层,其中x是从1.8至2.4。高分辨X射线光电子能谱(XPS)示出了在复合阻隔涂层或层与壁或基底之间存在一个界面。在一个方面中,该界面具有占O3‑Si‑C共价键加SiO4键的比例至少1摩尔%的O3‑Si‑C共价键。在另一个方面中,该界面具有与SiO4键的键能相比至更低键能(eV)的Si 2p化学位移。结果是在实际应用条件下具有高的与该基底的粘附程度的一个紧密附着的复合阻隔涂层或层。还披露了施加该复合阻隔涂层或层的方法。 | ||
搜索关键词: | 药物 包装 sio sub 阻隔 方法 | ||
【主权项】:
一种容器,该容器包括封闭一个内腔的一个热塑性壁和在该壁与该内腔之间由该壁支撑的一个SiOx复合阻隔涂层或层,其中x是从1.8至2.4,其中该SiOx复合阻隔涂层或层是通过PECVD从一种有机硅单体和氧化气体、在以下条件下在至少键合和增强阶段中形成的:·在该键合阶段过程中,有机硅单体与氧化气体的进料比以sccm计是从2.5至10;并且·在该增强阶段过程中,有机硅单体与氧化气体的进料比是从0.1至0.05。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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