[发明专利]用于改进硅离子注入期间的离子束电流和性能的含硅掺杂剂组合物、使用该组合物的系统和方法有效
| 申请号： | 201380044955.0 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104584183B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | A.K.辛哈;L.A.布朗;S.M.坎珀 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张萍,李炳爱 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供用于在硅离子注入期间改进束电流的掺杂剂气体组合物、使用该组合物系统和方法。硅离子注入工艺涉及利用第一基于硅的辅助物质和第二物质。选择第二物质，以在产生并注入活性硅离子物质期间在所利用的离子源的操作电弧电压下具有比第一基于硅的物质更高的电离截面。活性硅离子产生改进的束电流，其特征在于与单独从SiF4产生的束电流相比，保持或增加束电流水平而不引起离子源降级。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 离子 注入 期间 离子束 电流 性能 掺杂 组合 使用 系统 方法 | ||
【主权项】：
掺杂剂气体组合物，其包含：包含第一基于硅的物质和第二物质的基于硅的掺杂剂气体组合物，其中选择所述第二物质，以在产生并注入活性硅离子期间在所利用的离子源的操作电弧电压下具有比所述第一基于硅的物质高的电离截面；其中与从四氟化硅(SiF4)产生的束电流相比，所述基于硅的掺杂剂气体组合物改进离子束电流，以致保持或增加束电流而不使所述离子源降级。
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