[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201380044909.0 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104603915B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 藤本和德;堀井拓;木村真二;木本美津男 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件(1)，包括由碳化硅制成的衬底(10)；形成在衬底(10)的表面(10A)上的绝缘膜(20,40)；不含Al的缓冲膜(51)；以及含Al的电极(52)。衬底(10)具有导电区(12)。在半导体器件中，接触孔(80)形成在导电区(12)上方使其延伸通过绝缘膜(20,40)并且暴露衬底(10)的表面(10A)。缓冲膜(51)从接触孔(80)的底表面(80B)起在接触孔(80)的侧壁表面(80A)上向上延伸。电极(52)形成为与接触孔(80)的底表面(80B)上的导电区(12)接触并且形成在绝缘膜(20,40)上，且缓冲膜(51)插入在其间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：由碳化硅制成的衬底；形成在所述衬底的表面上的绝缘膜；不含Al的缓冲膜；以及含Al的电极，所述衬底具有导电区，多个接触孔形成在所述导电区上方，使其延伸通过所述绝缘膜并且暴露所述衬底的表面，所述缓冲膜从所述接触孔的底表面起在所述接触孔的侧壁表面上向上延伸，所述缓冲膜从多个所述接触孔中的一个的所述底表面经由所述绝缘膜的上表面延伸到多个所述接触孔中的另一个的所述底表面，使其覆盖所述绝缘膜的在多个所述接触孔中的相邻接触孔之间的部分，所述电极形成为在所述接触孔的所述底表面上与所述导电区接触，所述电极形成在所述绝缘膜上并且所述缓冲膜插入在所述电极和所述绝缘膜之间，所述绝缘膜上的所述电极形成为覆盖所述缓冲膜的整个表面，其中，所述半导体器件还包括互连，所述互连形成为覆盖所述电极和所述绝缘膜，并且经由所述电极电连接到所述导电区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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