[发明专利]化合物太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201380043997.2 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104603957B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 寺地诚喜;河村和典;西井洸人;渡边太一;山本祐辅 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了提供转换效率高的化合物太阳能电池以及能够以低成本制造其的方法，提供在基板1上具备CIGS光吸收层3、缓冲层5和表面电极层6的化合物太阳能电池，在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间，设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4。Zn(OX，S1‑X)···(1)(其中，X为0.9<X≤1或0≤X<0.1)。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物太阳能电池，其特征在于，其为在基板上具备由I‑III‑VI族化合物半导体形成的化合物光吸收层、缓冲层和表面电极层的化合物太阳能电池，所述化合物光吸收层与缓冲层之间设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层，并且所述缓冲层为下述通式(2)所示组成的混晶，Zn(Ox，S1‑x)…(1)其中，X为0.9<X≤1，Zn(OY，S1‑Y)…(2)其中，Y为0.5≤Y<1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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