[发明专利]用于铂和钌材料的选择性抛光的组合物和方法有效
| 申请号： | 201380043956.3 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104584199B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | W.金;E.雷姆森 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于抛光含有铂和/或钌的基板的化学‑机械抛光(CMP)方法、和适合用于所述方法的组合物。对于本发明的方法使用的含有氧化铝以及选自抑制剂、络合剂和氨基化合物的至少一种添加剂的抛光组合物容许抛光铂和钌。本发明的方法为调节铂、钌、氧化硅和氮化硅的相对移除速率提供保证。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 材料 选择性 抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
用于抛光包含铂的基板的化学机械抛光(CMP)方法，所述方法包括使所述基板与抛光垫的表面在所述抛光垫与所述基板之间存在含水抛光组合物的情况下接触，所述抛光垫具有在15至50肖氏D范围内的硬度，所述抛光组合物具有4至8的pH且包括含有0.05重量％至0.5重量％的粒状氧化铝研磨剂以及0.001重量％至5重量％的选自抑制剂、络合剂和氨基化合物的至少一种添加剂的含水载体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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