[发明专利]光生伏打元件及其制造方法

摘要

在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。

主权项

一种光生伏打元件，其特征在于，具备：第1导电类型的半导体基板，具备第1主面、侧面以及第2主面；第2导电类型的半导体层，以覆盖所述半导体基板的所述第1主面的整体并从所述第1主面经过所述侧面覆盖所述第2主面的周缘部的方式形成；第1本征半导体层，介于所述第2导电类型的半导体层与所述半导体基板之间；第1透明导电膜，以与所述第2导电类型的半导体层抵接并从所述第1主面到达所述侧面的方式形成；第1导电类型的半导体层，形成于所述半导体基板的所述第2主面；第2本征半导体层，介于所述第1导电类型的半导体层与所述半导体基板之间；以及第2透明导电膜，在所述半导体基板的所述第2主面侧被设置成抵接到所述第1导电类型的半导体层上，其中，所述第2透明导电膜形成为端部位于比所述半导体基板的所述第2主面的外缘更靠内侧的位置，并且形成为在从所述第2透明导电膜的端部朝向所述第2主面的法线上不与所述第1透明导电膜相交，在所述第2主面上，在位于所述第1透明导电膜的端部与所述第2透明导电膜的端部之间的区域，具备按所述第1本征半导体层、所述第2导电类型的半导体层、所述第2本征半导体层、所述第1导电类型的半导体层的顺序层叠的构造、或按所述第1本征半导体层、所述第2导电类型的半导体层、所述第1导电类型的半导体层的顺序层叠的构造中的至少一方。