[发明专利]用于降低氟代烯烃中RfCCX杂质的方法有效
申请号: | 201380041929.2 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN104507895B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | X.孙;M.J.纳帕 | 申请(专利权)人: | 科慕埃弗西有限公司 |
主分类号: | C07C17/20 | 分类号: | C07C17/20;C07C17/38;C07C21/18;C07B31/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 赵苏林,李炳爱 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及用于降低氟代烯烃中RfC≡CX杂质浓度的方法。该方法包括使包含至少一种氟代烯烃和至少一种RfC≡CX杂质的混合物与至少一种胺接触以降低所述混合物中至少一种RfC≡CX杂质的浓度;其中Rf为全氟代烷基,并且X为H,F,Cl,Br或I。本公开还涉及用于制备至少一种选自CF3CF=CH2、CF3CH=CHF的氢四氟丙烯产物、至少一种选自CF3CCl=CH2、CF3CH=CHCl的氢氯三氟丙烯产物、和其混合物并降低在该过程期间生成的CF3C≡CH杂质浓度的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 降低 烯烃 rfccx 杂质 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,其包括:使包含至少一种氟代烯烃和至少一种RfC≡CX杂质的混合物与至少一种胺在0℃至60℃的温度接触以降低所述混合物中的所述至少一种RfC≡CX杂质的浓度;其中Rf为包含1-3个碳原子的全氟代烷基,X为H、F、Cl、Br或I,所述至少一种氟代烯烃选自CF3CF=CH2、CF3CH=CHF、CF3CH=CH2、CF3CH=CF2、CF3CF=CHF、CF3CCl=CH2、CF3CH=CHCl、CF3CF=CHCl、CF3CH=CCl2、CF3CCl=CHCl、CF3CH=CFCl、CF3CCl=CHF、CF3CF=CH2、CF3CH=CHF、CF3CH=CH2、CF3CCl=CH2、CF3CH=CHCl、CF3CH=CFCl、CF3CH=CF2、CF3CCl=CHF、CF3CF=CHF、CF3CF=CHCl、CF3CH=CCl2、CF3CCl=CHCl,所述至少一种胺选自R3N、肼、烷基肼、芳基肼、芳烷基肼、多胺和杂环胺,其中每个R独立地为氢、烷基、杂烷基、芳基、或芳烷基,并且所述烷基、杂烷基、芳基和芳烷基未被取代或被羟基、烷氧基、卤素、氨基取代。
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