[发明专利]用于降低氟代烯烃中RfCCX杂质的方法

说明书

背景

公开领域

本公开涉及用于通过与胺接触降低氟代烯烃中R_fC≡CX杂质浓度的方法。

相关技术的描述

很多工业已经工作过去几十年以寻找消耗臭氧的氯氟烃(CFC)和氢氯氟烃(HCFC)的替代品。在大范围的应用中使用CFC和HCFC，包括它们作为气溶胶喷射剂、制冷剂、清洁剂、用于热塑性和热固性泡沫的膨胀剂、传热介质、气态电介质、灭火剂和抑火剂、动力循环工作流体、聚合介质、颗粒去除流体、载体流体、抛光研磨剂和替代干燥剂的用途。在这些各种各样的化合物的替代品的研究中，很多工业已经转而使用氢氟烃(HFC)。

所述HFC没有促使平流层臭氧的耗损，但由于其促使“温室效应”即它们促使全球变暖而受关注。由于它们促使全球变暖，HFC受到详细审查，并且它们的广泛使用在未来也可能受到限制。因此，需要既具有低臭氧层微耗潜能值(ODP)又具有低全球升温潜能值(GWP)的化合物。

公开简述

本公开提供了一种方法，其包括：使包含至少一种氟代烯烃与至少一种R_fC≡CX杂质的混合物与至少一种胺接触以降低所述混合物中所述至少一种R_fC≡CX杂质的浓度；其中R_f为全氟代烷基，X为H, F, Cl, Br或I。

本公开还提供用于制备至少一种选自CF₃CF=CH₂, CF₃CH=CHF和其混合物的氢四氟丙烯产物的方法。所述方法包括：(a) 使至少一种选自CF₃CFClCH₃, CF₃CHFCH₂Cl, CF₃CHClCH₂F, CF₃CH₂CHFCl, CF₃CHFCH₂F, CF₃CH₂CF₂H, CF₃CF₂CH₃和其混合物的起始原料脱卤化氢以产生包含CF₃C≡CH杂质和所述至少一种氢四氟丙烯产物的产物混合物；(b) 使所述产物混合物与至少一种胺接触以降低所述产物混合物中所述CF₃C≡CH杂质的浓度；和(c) 回收所述至少一种具有降低浓度的所述CF₃C≡CH杂质的氢四氟丙烯产物。

本公开还提供用于制备至少一种选自CF₃CCl=CH₂, CF₃CH=CHCl和其混合物的氢氯三氟丙烯产物的方法。该方法包括：(a)使至少一种选自CF₃CCl₂CH₃, CF₃CHClCH₂Cl, CF₃CHClCH₂F, CF₃CH₂CHCl₂, CF₃CHFCH₂Cl, CF₃CFClCH₃, CF₃CH₂CHFCl和其混合物的起始原料脱卤化氢以产生包含CF₃C≡CH杂质和所述至少一种氢氯三氟丙烯产物的产物混合物；(b) 使所述产物混合物与至少一种胺接触以降低所述产物混合物中所述CF₃C≡CH杂质的浓度；和(c) 回收所述至少一种具有降低浓度的所述CF₃C≡CH杂质的氢氯三氟丙烯产物。

详述