[发明专利]用于制造多色的LED显示器的方法有效
申请号: | 201380039951.3 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN104508822B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 亚历山大·F·普福伊费尔;马丁·曼德尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提出一种用于制造多色LED显示器(10)的方法,所述LED显示器具有带有多个像素(5)的LED发光单元(4)。第一亚像素(B)、第二亚像素(G)和第三亚像素(R)分别包含用于发射第一颜色的辐射的LED芯片(3),其中至少在第二亚像素(G)之上设置有用于将辐射转换成第二颜色的转换层(1)并且在第三亚像素(R)之上设置有用于将辐射转换成第三颜色的转换层(2)。在此,分别执行至少一个工艺步骤,其中在像素(5)之上的至少一个限定的区域中安置或移除第一转换层(1)或第二转换层(2),其中电运行LED芯片(3)的一部分,并且其中所述区域通过由运行的LED芯片(3)产生的辐射(6)、产生的热量或产生的电场来限定。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 多色 led 显示器 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造多色的LED显示器(10)的方法,所述LED显示器具有带有多个像素(5)的LED发光单元(4),其中‑所述像素(5)具有用于发射第一颜色的第一亚像素(B)、用于发射第二颜色的第二亚像素(G)和用于发射第三颜色的第三亚像素(R),‑亚像素(R,G,B)分别包含LED芯片(3),所述LED芯片适合用于发射第一颜色的辐射,‑至少在所述第二亚像素(G)之上设置第一转换层(1),所述第一转换层适合用于将第一颜色的辐射转换成第二颜色的辐射,‑在所述第三亚像素(R)之上设置第二转换层(2),所述第二转换层适合用于将第一颜色的辐射和/或第二颜色的辐射(6)转换成第三颜色的辐射,‑为了将所述第一转换层(1)设置在所述第二亚像素(G)之上并且为了将所述第二转换层(2)设置在所述第三亚像素(R)之上,分别执行至少一个过程步骤,其中在所述像素(5)之上的至少一个限定的区域中施加或移除所述第一转换层(1)或所述第二转换层(2),‑在所述过程步骤中电运行所述LED芯片(3)的一部分,‑通过由所述LED芯片(3)的一部分产生的电磁辐射(6)、产生的热量或产生的电场来限定至少一个所述区域,‑将所述第一转换层(1)设置在所述LED发光单元(4)之上,‑将所述第二转换层(2)设置在所述第一转换层(1)之上,‑将所述第二转换层(2)从所述第一亚像素(B)和所述第二亚像素(G)移除,并且‑将所述第一转换层(1)从所述第一亚像素(B)移除,其中移除所述第一转换层(1)和/或第二转换层(2)借助于用于局部的层剥离的方法进行,所述用于局部的层剥离的方法借助于光谱敏感地光学识别由所述LED芯片(3)的一部分发射的电磁辐射(6)来控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的