[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块有效
申请号: | 201380037778.3 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN104488088B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;足立修一郎;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池元件,其包含具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 及其 制造 方法 以及 模块 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池元件,其包含:具有受光面及与所述受光面相反一侧的背面且在所述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于所述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于所述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于所述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极,其中,所述p型扩散区域与所述n型扩散区域隔开配置,且分别具有具备短边及长边的多个矩形部分,所述p型扩散区域所具有的多个矩形部分,按照所述多个矩形部分的长边的方向沿着所述n型扩散区域所具有的多个矩形部分的长边的方向的方式配置,所述p型扩散区域所具有的多个矩形部分与所述n型扩散区域所具有的多个矩形部分交替地配置,所述钝化层为钝化层形成用组合物的热处理物,所述钝化层形成用组合物包含选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3、HfO2及下述通式(I)所表示的化合物组成的组中的1种以上,且至少包含通式(I)所表示的化合物,M(OR1)m (I)式中,M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素;R1分别独立地表示碳原子数为1~8的烷基或碳原子数为6~14的芳基;m表示1~5的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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