[发明专利]具有至少一个多孔多晶衬底的能量存储设备在审
| 申请号： | 201380037359.X | 申请日： | 2013-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104471663A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | E.C.汉纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，用于能量存储设备的结构可以包括至少一个多晶衬底。晶粒尺寸可以被设计成至少为多晶衬底中的光子散射开始在晶粒边界散射之上主导的尺寸。该结构还包括包含多晶衬底内的多个通道的多孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 至少 一个 多孔 多晶 衬底 能量 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：具有至少为光子散射开始在晶粒边界散射之上主导的尺寸的晶粒尺寸的第一多晶衬底；以及在第一多晶衬底内形成的第一多孔层，其中第一多孔层包含多个通道。
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