[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201380036841.1 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN104428897B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 柳田刚志;马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 这里描述固态成像装置以及制造固态成像装置的方法。作为示例,该固态成像装置包括形成在传感器基板上的第一配线层和形成在电路基板上的第二配线层。传感器基板连接到电路基板,第一配线层和第二配线层设置在传感器基板和电路基板之间。第一电极形成在第一配线层的表面上,并且第二电极形成在第二配线层的表面上。第一电极与第二电极电接触。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:第一配线层,形成在传感器基板上;以及第二配线层,形成在电路基板上,其中该传感器基板连接到该电路基板,该第一配线层和该第二配线层设置在该传感器基板和该电路基板之间,第一电极形成在该第一配线层的表面上,第二电极形成在该第二配线层的表面上,该第一电极与该第二电极电接触,其中,该第一电极包括形成在平行于该第一配线层的表面的第一方向上的第一导体层部分和形成在平行于该第一配线层的表面的第二方向上的第二导体层部分,该第一导体层部分与该第二导体层部分相交,并且平行于该第一配线层的表面的该第一方向与平行于该第一配线层的表面的该第二方向垂直,该第二电极包括形成在平行于该第二配线层的表面的第一方向上的第三导体层部分和形成在平行于该第二配线层的表面的第二方向上的第四导体层部分,该第三导体层部分与该第四导体层部分相交,并且平行于该第二配线层的表面的该第一方向与平行于该第二配线层的表面的该第二方向垂直,并且该第一导体层部分平行于该第三导体层部分,并且该第二导体层部分平行于该第四导体层部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的