[发明专利]能量存储设备有效
| 申请号： | 201380036181.7 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN104428857B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 马丁·休·宝特伍德 | 申请（专利权）人： | 德雷加勒拉控股有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/07 | 分类号： | H01G9/07;H01G7/06;H01G7/02;H01G4/20 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 丁国芳 |
| 地址： | 英国南*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 能量存储设备(100)，其包括：多孔导体基板(110)；与所述多孔导体基板(110)的内表面(112)接触的绝缘体层(120)；以及与所述绝缘体层(120)的外表面(122)接触的导体层(130)。 | ||
| 搜索关键词： | 能量存储设备 多孔导体 绝缘体层 基板 导体层 内表面 | ||
【主权项】：
1.一种能量存储设备，其包括：多孔导体基板，所述多孔导体基板限定了连接到所述多孔导体基板外表面的互连空隙的网络并且限定了所述多孔导体基板的内表面；与所述多孔导体基板的内表面接触的绝缘体层；以及与所述绝缘体层的外表面接触的导体层；其中：所述绝缘体层包括第一电存储层，其可操作以在所述多孔导体基板和所述导体层的两端施加电压时以极化形态存储能量；并且所述绝缘体层还包括第二电存储层，其被配置为在电绝缘形态与导电形态之间变化，其中响应在所述多孔导体基板和所述导体层的两端施加超过阈值电压的电压从所述电绝缘形态转换到所述导电形态，其中所述第二电存储层是可电离的流体，并且所述导电形态是通过在所述第二电存储层的两端施加等于或超过所述第二电存储层的击穿电压的电压而产生的电离形态。
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