[发明专利]气体团簇照射机构和使用了该气体团簇照射机构的基板处理装置、以及气体团簇照射方法有效
| 申请号： | 201380035374.0 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104428875B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 井内健介;土桥和也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/302;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了向被保持为真空的处理容器(1)内喷射气体并利用绝热膨胀来生成气体团簇、将生成的气体团簇向被处理基板(S)照射的气体团簇照射机构(10)。气体团簇照射机构(10)包括具有多个气体喷射喷嘴(17)的喷嘴单元(11)；向喷嘴单元(11)供给气体的气体供给部(12)。以这样的方式设定气体喷射喷嘴(17)的根数自气体喷射喷嘴(17)以需要的流量供给气体时处理容器(1)内所到达的压力成为不破坏气体团簇的程度的压力。而且，以这样的方式配置气体喷射喷嘴(17)中的相邻的气体喷射喷嘴自该相邻的气体喷射喷嘴喷射出的气体中的无助于气体团簇的形成的残留气体的扩散范围互不重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 照射 机构 使用 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种气体团簇照射机构，其向被保持为真空的处理容器内喷射气体并利用绝热膨胀来生成气体团簇，向配置于上述处理容器内的被处理基板照射气体团簇，其中，该气体团簇照射机构包括：喷嘴单元，其具有多个向上述处理容器内喷射气体的气体喷射喷嘴；以及气体供给部，其向上述喷嘴单元供给用于生成气体团簇的气体，以这样的方式设定上述喷嘴单元的上述气体喷射喷嘴的根数：自上述气体喷射喷嘴以需要的流量供给上述气体时上述处理容器内所到达的压力成为不破坏气体团簇的程度的压力，在上述喷嘴单元中，以这样的方式配置上述多个气体喷射喷嘴中的相邻的气体喷射喷嘴：自该相邻的气体喷射喷嘴喷射出的气体中的无助于气体团簇的形成的残留气体的扩散范围互不重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
