[发明专利]用于盘形基片的传送和移交机构、真空处理设备以及用于制造被处理基片的方法有效
申请号: | 201380030874.5 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN104584201B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | S.沃塞;B.加伊奇特;P.马蒂西 | 申请(专利权)人: | 瑞士艾发科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01L9/00;C23C14/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松 |
地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于盘形基片的传送和移交机构,其包括:承载器(3)和接管机构(15)。二者相对于彼此可移动。通过接管机构(15)处的永磁体(17)的远距离控制,可磁化材料制成的相对较重的基片承载器(7)由接管机构(15)进行接管或者从其返回到承载器(3)。借助于气动活塞/汽缸机构(19)来实现移交机构(15)中的永磁体(17)的受控驱动器。 | ||
搜索关键词: | 用于 盘形基片 传送 移交 机构 真空 处理 设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于盘形基片的传送和移交机构,包括:带有水平放置的承载器表面的承载器;因其重量而保持在所述承载器表面上的托盘形基片承载器,每个基片承载器均具有至少一个用于基片的平面容置座并且具有由可磁化材料构成的至少一个部件,所述基片承载器包括围绕所述容置座的周边突出边缘,其中所述容置座是凹入所述基片承载器的表面内的凹处,且所述周边突出边缘从所述基片承载器的表面突出;带有与所述承载器表面对置且从其间隔开的接管表面的接管机构,其中,所述承载器和所述接管机构彼此相对且彼此平行地以可控方式进行移动,并且因而至少一个所述基片承载器能够相继地循序达到与所述接管表面相对齐;其中,进一步地:至少一个永磁体被设置在所述接管机构上;所述至少一个永磁体和所述至少一个部件之间的距离可控地变化成两个预定距离位置,以致作用在所述基片承载器上的磁力在第一位置处大于所述基片承载器的重量,而在第二位置处则小于所述基片承载器的重量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞士艾发科技,未经瑞士艾发科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380030874.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:外延硅晶片的制造方法和外延硅晶片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造