[发明专利]纳米线官能化、分散和附着方法有效
| 申请号： | 201380030869.4 | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104380469B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | T.M.贾汀;M.哈夫曼;L.G.S.乌尔文隆德;J.E.博里斯特伦;U.纳西姆 | 申请（专利权）人： | 索尔伏打电流公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L51/00;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;彭昶 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 提供了纳米线器件和制造纳米线器件的方法。该器件包括用不同官能化化合物官能化的许多纳米线。该方法包括用官能化化合物将纳米线官能化、将所述纳米线分散在极性或半极性溶剂中、在衬底上排列所述纳米线以使纳米线的纵轴大致垂直于衬底的主要表面取向并将所述纳米线固定到衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 官能化 衬底 官能化化合物 纳米线器件 半极性溶剂 表面取向 附着 垂直 制造 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，其包含：极性或半极性溶剂；和悬浮在所述溶剂中并且浮在所述溶剂表面上的杆状半导体纳米线，悬浮在所述溶剂中的所述杆状半导体纳米线各自包含第一部分和第二部分，其中各杆状半导体纳米线的第一部分包含第一官能化化合物且各杆状半导体纳米线的第二部分包含第二官能化化合物，其中第二官能化化合物不同于第一官能化化合物；其中所述杆状半导体纳米线的第一部分包含金属纳米线生长催化剂粒子，以及其中所述杆状半导体纳米线的第二部分包含GaAs、InP、InAs、GaAsxP1‑x、InxGa1‑xP、InGaAsP、GaN、InN、GaxIn1‑xN、GaP、InSb、GaSb、InxAl1‑xSb、GaxAl1‑xSb、AlN、BN、Si或SiC中的一种或多种；和其中所述杆状半导体纳米线的第二部分沉浸在所述极性或半极性溶剂中并且所述第一部分位于所述极性或半极性溶剂之外。
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