[发明专利]制造太阳能电池的方法和由此得到的太阳能电池有效
| 申请号: | 201380030185.4 | 申请日: | 2013-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN104364911B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
| 发明(设计)人: | 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔;约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 | 申请(专利权)人: | 泰姆普雷斯艾普公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 孙静;郑霞 |
| 地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 太阳能电池的制造包括通路孔(2)的蚀刻,该通路孔(2)具有锥形形状,使得在衬底(1)的预期作为主面以用于捕获入射光的第一面(1a)处的直径(A)大于在衬底(1)的第二面(1b)处的直径(B)。第一掺杂区域(3)延伸到通路孔(2)中的第一表面(11)。第二掺杂区域(5)存在于衬底(1)的第二表面(1b)处并且适合地通过离子注入形成。产生的太阳能电池具有通过通路孔(2)中的第二表面(12)在第一掺杂区域(3)和第二掺杂区域(5)之间的适当的隔离,并且适合地在第一掺杂区域(3)和衬底(1)中的掺杂剂之间设置有深的结。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 太阳能电池 方法 由此 得到 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:‑提供具有第一面和第二面的硅衬底,所述第一面预期作为主面以用于捕获入射光;‑向所述衬底中提供第一通路孔,所述第一通路孔从所述第一面延伸到所述第二面或者在不延伸到所述第二面的情况下朝向所述第二面延伸,在朝向所述第二面延伸的后一种选择中,所述第一通路孔在施加掺杂剂之后打开,所述第一通路孔设置有锥形形状,使得所述第一通路孔分别地具有在所述第一面处的第一直径,和在所述第二面处或者靠近所述第二面处的第二直径,其中所述第一直径大于所述第二直径;‑在扩散过程中,施加第一传导类型的掺杂剂以提供第一掺杂区域,所述第一掺杂区域被界定在所述第一面上和所述第一通路孔的第一表面处;‑施加与所述第一传导类型相反的第二传导类型的掺杂剂以提供在所述衬底的所述第二面处的第二掺杂区域;‑将导体材料施加在所述衬底的所述第一面和所述第二面的部分处以及施加到所述第一通路孔中,以形成穿过所述衬底的通路,以界定第一导体,其特征在于:‑所述第二掺杂区域是背表面场,所述背表面场延伸直到所述通路,而没有在所述衬底的所述第二面处的任何中间的发射极‑背表面场隔离区域;‑所述第一表面延伸到所述第一面,并且通过所述第一通路孔中的第二表面与所述衬底的所述第二面间隔开,所述第二表面界定了在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的隔离区域;‑钝化层被提供到所述衬底的所述第一面和所述第二面上以及所述第一通路孔的至少一个表面上,‑所述第一导体提供了从作为所述第一面上的发射极的所述第一掺杂区域到所述第二面上的触点的连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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