[发明专利]用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极、用于制造薄层太阳能电池和薄层太阳能模块的多层背电极的应用、包含多层背电极的光伏薄层太阳能电池和模块及制造方法在审
申请号: | 201380028772.X | 申请日: | 2013-02-19 |
公开(公告)号: | CN104335357A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | V.普罗布斯特 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/032 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;胡莉莉 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极,按顺序地包括:至少一个块背电极层,包含V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W或者基本上由V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W构成,和/或包含含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金和/或基本上由含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金构成;至少一个导电阻挡层;至少一个尤其是欧姆的接触层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,和/或包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成,和/或包含至少一个与阻挡层相邻的第一覆层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,以及至少一个不与阻挡层相邻的第二覆层,包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄层 太阳能电池 多层 电极 制造 太阳能 模块 应用 包含 方法 | ||
【主权项】:
用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极,按顺序地包括:至少一个块背电极层,包含V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W或者基本上由V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W构成,和/或包含含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金和/或基本上由含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金构成;至少一个导电阻挡层;至少一个尤其是欧姆的接触层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,和/或包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成,和/或包含至少一个与阻挡层相邻的第一覆层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,以及至少一个不与阻挡层相邻的第二覆层,包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380028772.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种移动电源剩余电量的检测方法和装置
- 下一篇:磁环涂层耐压检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的