[发明专利]用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极、用于制造薄层太阳能电池和薄层太阳能模块的多层背电极的应用、包含多层背电极的光伏薄层太阳能电池和模块及制造方法在审
申请号: | 201380028772.X | 申请日: | 2013-02-19 |
公开(公告)号: | CN104335357A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | V.普罗布斯特 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/032 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;胡莉莉 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄层 太阳能电池 多层 电极 制造 太阳能 模块 应用 包含 方法 | ||
1.用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极,按顺序地包括:
至少一个块背电极层,包含V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W或者基本上由V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W构成,和/或包含含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金和/或基本上由含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金构成;
至少一个导电阻挡层;
至少一个尤其是欧姆的接触层,
包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,
和/或
包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成,
和/或
包含至少一个与阻挡层相邻的第一覆层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,以及至少一个不与阻挡层相邻的第二覆层,包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成。
2.根据权利要求1所述的背电极,其特征在于,块背电极和接触层包含钼或钨或钼合金或钨合金、尤其是钼或钼合金,或者基本上由钼或钨或钼合金或钨合金构成,尤其是基本上由钼或钼合金构成。
3.根据权利要求1或2所述的背电极,其特征在于,阻挡层是针对从块背电极层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分和/或经过块背电极层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分的阻挡,和/或是针对从接触层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分和/或经过接触层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分的阻挡。
4.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,阻挡层是针对碱离子、尤其是钠离子、硒或硒化合物、硫或硫化合物、金属尤其是Cu、In、Ga、Fe、Ni、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和/或W、和/或含碱离子的化合物的阻挡。
5.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,阻挡层包含至少一种金属氮化物尤其是TiN、MoN、TaN、ZrN和/或WN、至少一种金属碳化物、至少一种金属硼化物和/或至少一种金属硅氮化物尤其是TiSiN、TaSiN和/或WSiN,或者基本上由至少一种金属氮化物尤其是TiN、MoN、TaN、ZrN和/或WN、至少一种金属碳化物、至少一种金属硼化物和/或至少一种金属硅氮化物尤其是TiSiN、TaSiN和/或WSiN构成。
6.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,块背电极层被至少一种选自由以下元素构成的组的元素:Fe、Ni、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al和/或Na和/或上述元素的化合物所污染。
7.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,接触层的或接触层的第二覆层的金属硫族化物的金属选自钼、钨、钽、锆、钴和/或铌并且该金属硫族化物的硫族元素选自硒和/或硫,其中金属硫族化物尤其是MSe2、MS2和/或M(Se1-x,Sx)2,M=Mo、W、Ta、Zr、Co或Nb,其中x取0至1的值。
8.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,
接触层的第一覆层的金属和第二覆层的金属一致,和/或接触层的第一覆层的金属和/或第二覆层的金属与块背电极的金属一致。
9.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,
接触层、接触层的第一和/或第二覆层具有至少一种用于薄层太阳能电池的半导体吸收层的掺杂剂,尤其是具有至少一种选自如下组的元素:钠、钾和锂和/或这些元素的至少一种化合物,优选带有氧、硒、硫、硼和/或卤素例如碘或氟,和/或具有至少一种碱金属青铜、尤其是青铜钠和/或青铜钾,优选带有选自钼、钨、钽和/或铌的金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的