[发明专利]制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管有效
| 申请号： | 201380028226.6 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104396041B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·扎希多夫;比约恩·吕塞姆;卡尔·利奥;汉斯·克勒曼 | 申请（专利权）人： | 诺瓦尔德股份有限公司;德累斯顿工业技术大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05;H01L51/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 张爽,郭国清 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的所述步骤和在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的所述步骤中的至少一个包括分别在所述第一和第二有机半导体层(3、6)上光刻结构化的步骤。另外，提供一种有机场效应晶体管和一种电子开关装置。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 有机 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：‑在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，‑在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，‑在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，‑在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和‑在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的步骤包括在所述第一有机半导体层(3)上光刻结构化的步骤和/或在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的步骤包括在所述第二有机半导体层(6)上光刻结构化的步骤。
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