[发明专利]制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管

权利要求书

1.一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

-在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，

-在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，

-在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，

-在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和

-在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，

其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的步骤和在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的步骤中的至少一个包括分别在所述第一和第二有机半导体层(3、6)上光刻结构化的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二有机半导体层(3、6)包含相同的有机基质材料。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中用第一亚电极部分(8)产生所述第一电极(4)，和用第二亚电极部分(9)产生所述第二电极(7)，所述多个亚电极部分(8、9)布置在重叠亚电极部分(10)的分离的组中，其中用至少一个与至少一个第二亚电极部分(9)重叠的第一亚电极部分(8)产生重叠亚电极部分(10)的每个分离的组。

4.根据前述权利要求中的至少一项所述的方法，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的所述步骤包括以下步骤：

-在所述第一有机半导体层(3)上沉积第一光刻胶层，

-通过使所述第一光刻胶层图案化而限定用于所述第一电极(4)的电极区域，由此提供第一光刻胶图案，

-在所述第一光刻胶图案上沉积第一导电层，

-在所述第一导电层上沉积绝缘层，和

-以剥离工艺除去所述第一光刻胶图案，由此产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)。

5.根据前述权利要求中的至少一项所述的方法，其中在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的所述步骤包括以下步骤：

-在所述第一有机半导体层(3)上和在所述电极绝缘层(5)上沉积第二光刻胶层，

-通过使所述第二光刻胶层图案化而限定用于所述第二电极(7)的电极区域，由此提供第二光刻胶图案，

-在所述第二光刻胶图案上沉积第二未图案化的有机半导体层，

-在所述第二未图案化的有机半导体层上沉积第二导电层，和

-以剥离工艺除去所述第二光刻胶图案，由此产生所述第二有机半导体层(6)和所述第二电极(7)。

6.一种有机场效应晶体管，其包含：

-第一电极(4)和第二电极(7)，所述电极提供源电极和漏电极，

-栅电极(1)，

-在所述栅电极(1)和所述第一电极(4)之间设置的栅极绝缘层(2)，

-在所述第一和所述第二电极(4、7)之间设置的电极绝缘层(5)，

-在所述栅极绝缘层(2)和所述第一电极(4)之间设置的第一有机半导体层(3)，和

-在所述第一有机半导体层(3)和所述第二电极(7)之间设置的第二有机半导体层(6)，

其中所述第一和第二有机半导体层(3、6)被构造成传输相同类型的电荷载流子，即空穴和电子。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其中所述第一电极(4)具有第一亚电极部分(8)和所述第二电极(7)具有第二亚电极部分(9)，所述多个亚电极部分(8、9)布置在重叠亚电极部分(10)的分离的组中，其中重叠亚电极部分(10)的每个分离的组包括至少一个与至少一个第二亚电极部分(9)重叠的第一亚电极部分(8)。

8.根据权利要求6或7所述的晶体管，其中所述第一和第二有机半导体层(3、6)包含相同的有机基质材料。

9.根据权利要求6至8中的至少一项所述的晶体管，其中所述第一和第二有机半导体层(3、6)由小分子材料制成。

10.根据权利要求6至9中的至少一项所述的晶体管，其中所述第一和第二有机半导体层(3、6)彼此直接接触。