[发明专利]低功率相变存储器单元有效
| 申请号： | 201380027699.4 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104335350B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | E.V.卡波夫;张国维;G.斯帕迪尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨美灵;汤春龙<国际申请>=PCT/US |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器可包括两个电极和耦合在两个电极之间具有非晶重置状态和部分结晶设置状态的相变材料。设置状态中的相变材料可在亚阈值电压区域中具有高度非线性电流电压响应。相变材料可以是铟、锑和碲的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 相变 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：/n两个电极；以及/n具有非晶重置状态和部分结晶设置状态的相变材料，所述相变材料耦合在所述两个电极之间；/n其中所述设置状态中的所述相变材料在亚阈值电压区域中具有高度非线性电流-电压响应。/n
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