[发明专利]覆晶接合器以及覆晶接合方法有效
| 申请号： | 201380027231.5 | 申请日： | 2013-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN104335336B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 瀬山耕平 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可缩短接合时间而又不降低接合质量的覆晶接合器以及覆晶接合方法。此覆晶接合器包括吸附反转夹套(30)，使半导体芯片(20)反转；以及接合工具(50)，自吸附反转夹套(30)接收已由吸附反转夹套(30)反转的半导体芯片(20)并将此半导体芯片接合于电路基板(65)；且吸附反转夹套(30)在内部具有使冷却空气流通来对吸附反转夹套(30)进行冷却的冷却流路。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种覆晶接合器，其包括：反转机构，使半导体芯片反转；接合工具，自上述反转机构接收已由上述反转机构反转的上述半导体芯片并将上述半导体芯片接合于基板；以及冷却机构，对上述反转机构进行冷却。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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