[发明专利]涂覆有钝化层的硅晶片无效
| 申请号： | 201380027004.2 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104364909A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 赛义德·萨尔曼·阿萨德;G·博卡恩;皮埃尔·德斯坎普斯;文森特·凯撒;帕特里克·里姆波尔 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 牟静芳;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及生产涂覆有钝化层的硅晶片。经涂覆的硅晶片可适用于将照射在电池正面的光的能量转换成电能的光伏电池。 | ||
| 搜索关键词： | 涂覆有 钝化 晶片 | ||
【主权项】：
一种涂覆有氧化硅的硅晶片，其中所述氧化硅具有负固定电荷并包括界面区和主体区，所述主体区比所述界面区距离所述硅晶片更远，其中所述主体区具有式SiOx，其中如以EELS‑TEM测量，x的平均值(主体值)大于2且小于2.6，而所述界面区具有式SiOy，其中氧与硅的比率y在所述界面区的厚度上逐渐增加，由所述硅晶片处的零增至所述主体区中的x，所述界面区的厚度以TEM测量在5至20nm的范围内。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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