[发明专利]涂覆有钝化层的硅晶片

权利要求书

1.一种涂覆有氧化硅的硅晶片，其中所述氧化硅具有负固定电荷并包括界面区和主体区，所述主体区比所述界面区距离所述硅晶片更远，其中所述主体区具有式SiO_x，其中如以EELS-TEM测量，x的平均值(主体值)大于2且小于2.6，而所述界面区具有式SiO_y，其中氧与硅的比率y在所述界面区的厚度上逐渐增加，由所述硅晶片处的零增至所述主体区中的x，所述界面区的厚度以TEM测量在5至20nm的范围内。

2.根据权利要求1所述的经涂覆的硅晶片，其中所述氧化硅包含Si-OH键，如以FTIR测量，位于3000cm-1处的Si-OH峰的表面积与位于1060cm^-1处的Si-O-Si峰的表面积之间的比率介于0.05与0.8之间。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的经涂覆的硅晶片，其中所述氧化硅的总厚度为60至500nm。

4.根据权利要求3所述的经涂覆的硅晶片，其中如以TEM测量，所述界面区的厚度为10至16nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的经涂覆的硅晶片，其中所述氧化硅具有至少1×1011cm^-2，优选地介于2×1011与1×1012cm^-2之间的负固定电荷。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的经涂覆的硅晶片，其中如通过对互补金属氧化物半导体(CMOS)结构进行电容-电压测量所测得，在所述硅与所述氧化硅间界面处的界面陷阱的密度在1.7×1010eV^-1cm^-2至1.7×1011eV^-1cm^-2的范围内。

7.一种生产光伏电池的工艺，其中使根据权利要求1至6中任一项所述的涂覆有氧化硅的硅晶片的所述氧化硅层氢化，并穿过所述氧化硅层形成背触点。

8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于通过在所述氧化硅层上沉积氮化硅层而使所述氧化硅层氢化，以及穿过所述氮化硅和氧化硅层形成背触点。

9.一种根据权利要求1至7中任一项所述的涂覆有氧化硅层的硅晶片在光伏电池中的用途。