[发明专利]金属氧化物的硅热还原形成低共熔复合材料无效
| 申请号： | 201380025909.6 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104321278A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 杰里米·毕比;马修·加夫;瓦斯根·莎玛米安;兰德尔·西格尔;约瑟夫·苏茨曼;詹姆斯·扬格 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 苏蕾;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过硅热还原制备低共熔合金主体的方法。所述方法可包括：加热包括硅和包含一种或更多种金属元素M与氧的金属氧化物的混合物；从所述混合物形成低共熔合金熔体；以及从所述低共熔合金熔体移除热，从而形成所述低共熔合金主体，所述低共熔合金主体具有包含硅的第一相与作为硅化物相的第二相的低共熔聚集体。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 还原 形成 低共熔 复合材料 | ||
【主权项】：
一种通过硅热还原制备低共熔合金主体的方法，所述方法包含：加热包括硅和包含一种或更多种金属元素M与氧的金属氧化物的混合物；从所述混合物形成低共熔合金熔体；从所述低共熔合金熔体移除热，从而形成所述低共熔合金主体，所述低共熔合金主体具有包含硅的第一相与作为硅化物相的第二相的低共熔聚集体，所述硅化物相包含所述金属氧化物的金属元素M。
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