[发明专利]红外线传感器装置和用于制造红外线传感器装置的方法有效
申请号: | 201380025592.6 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN104412386B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | I·赫尔曼;E·佐默;C·舍林;C·雷蒂希;M·哈塔斯 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J5/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,胡莉莉 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提出一种红外线传感器装置(100;200;300),其具有半导体衬底(1)、至少一个在半导体衬底(1)中微机械构造的传感器元件(2)、和至少一个在半导体衬底(1)中微机械构造的用于传感器元件(2)的校准元件(3),其中在半导体衬底(1)上在传感器元件(2)和校准元件(3)的区域内布置吸收材料(6),其中在半导体衬底(1)中基本上在传感器元件(2)之下并且基本上在校准元件(3)之下分别构造洞穴(8),其中传感器元件(2)和校准元件(3)借助洞穴(8)来与其余的半导体衬底(1)进行热分离和电分离。因此对于红外线传感器装置实现高灵敏度,实现用于传感器元件的校准功能,并且实现高信噪比。 | ||
搜索关键词: | 红外线 传感器 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
红外线传感器装置(100;200;300),具有:‑ 半导体衬底(1);– 至少一个在所述半导体衬底(1)中微机械构造的传感器元件(2);和– 至少一个在所述半导体衬底(1)中微机械构造的、用于所述传感器元件(2)的校准元件(3),其中在所述半导体衬底(1)上在所述传感器元件(2)和所述校准元件(3)的区域内布置吸收材料(6),其中在所述半导体衬底(1)中在所述传感器元件(2)之下并且在所述校准元件(3)之下分别构造洞穴(8),其中所述传感器元件(2)和所述校准元件(3)借助所述洞穴(8)来与其余的半导体衬底(1)进行分离,其中所述校准元件(3)与所述半导体衬底(1)通过热桥(13)热耦合,以及其中所述热桥(13)包含用于提升所述热桥(13)的导热性的金属结构(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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