[发明专利]等离子体蚀刻方法及等离子体处理装置

摘要

一种方法，在该方法中，针对层叠于晶圆上的氧化硅膜层，以形成于该氧化硅膜上的硅掩模作为掩模对该氧化硅膜层进行等离子体蚀刻处理，利用含CF气体的等离子体对氧化硅膜层(3)进行蚀刻处理，接着，利用含Si气体的等离子体在掩模上沉积含Si物质，之后，在硅的掩模上沉积有含Si物质的状态下，利用含CF气体的等离子体对氧化硅膜层再次进行蚀刻处理。从而，形成深宽比为60以上的孔。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，在该等离子体蚀刻方法中，在设于处理容器内的上部电极和下部电极之间施加高频电力而使处理气体等离子体化，对层叠于基板上的氧化硅膜层及氮化硅层以将形成于该氮化硅层上的硅层作为掩模的方式进行等离子体蚀刻处理，其特征在于，在该等离子体蚀刻方法中，通过如下步骤而形成具有规定的深宽比的孔或者沟槽，其中，所述规定的深宽比为60以上：进行第1蚀刻处理，在该第1蚀刻处理中，利用含CF气体的等离子体及含CHF气体的等离子体对所述氮化硅层进行蚀刻，接着，进行第2蚀刻处理，在该第2蚀刻处理中，利用含CF气体的等离子体对所述氧化硅膜层进行蚀刻，接着，利用含Si气体的等离子体在所述掩模上沉积含Si物质，之后，进行第3蚀刻处理，在该第3蚀刻处理中，在所述掩模上沉积有含Si物质的状态下，利用含CF气体的等离子体对氧化硅膜层再次进行蚀刻。