[发明专利]光检测器有效

专利信息
申请号: 201380025424.7 申请日: 2013-05-10
公开(公告)号: CN104285135A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 中嶋和利;山西正道;藤田和上;新垣实;广畑彻;山下博行;赤堀亘 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G01J1/02 分类号: G01J1/02;H01L31/10
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明所涉及的光检测器(1A)具备:光学元件(10),具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生;半导体层叠体(4),相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构;量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。
搜索关键词: 检测器
【主权项】:
一种光检测器,其特征在于:具备:光学元件,具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于所述第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着所述规定的方向入射的时候使所述规定的方向的电场成分产生:半导体层叠体,相对于所述光学元件被配置于与所述规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过所述光学元件产生的所述规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构,所述量子级联结构包含:具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域;以及输送在所述活性区域被激发的电子的喷射区域。
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