[发明专利]光检测器

权利要求书

1.一种光检测器，其特征在于：

具备：

光学元件，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于所述第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着所述规定的方向入射的时候使所述规定的方向的电场成分产生：

半导体层叠体，相对于所述光学元件被配置于与所述规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过所述光学元件产生的所述规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构，

所述量子级联结构包含：

具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域；以及

输送在所述活性区域被激发的电子的喷射区域。

2.如权利要求1所述的光检测器，其特征在于：

所述半导体层叠体具有沿着所述规定的方向被层叠的多个所述量子级联结构。

3.如权利要求1或者2所述的光检测器，其特征在于：

还具备：

被形成于所述半导体层叠体的所述一侧的表面的第1接触层；以及

被形成于所述半导体层叠体的所述另一侧的表面的第2接触层。

4.如权利要求3所述的光检测器，其特征在于：

还具备：

与所述第1接触层相电连接的第1电极；以及

与所述第2接触层相电连接的第2电极。

5.如权利要求3或者4所述的光检测器，其特征在于：

还具备：

所述第2接触层、所述半导体层叠体、所述第1接触层以及所述光学元件从所述另一侧按顺序被层叠的基板。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的光检测器，其特征在于：

所述第1区域由沿着所述规定的方向使所述光透过并调制该光的电介质所构成。

7.如权利要求1～5中任意一项所述的光检测器，其特征在于：

所述第1区域由表面等离子体被所述光激发的金属所构成。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的光检测器，其特征在于：

相对于所述第1区域的所述第2区域的排列的周期是0.5～500μm。

9.如权利要求1～8中任意一项所述的光检测器，其特征在于：

所述光是红外线。

10.如权利要求1～9中任意一项所述的光检测器，其特征在于：

所述光学元件在光从所述一侧入射的时候使所述规定的方向的电场成分产生。

11.如权利要求1～9中任意一项所述的光检测器，其特征在于：

所述光学元件在光经由所述半导体层叠体从所述另一侧入射的时候使所述规定的方向的电场成分产生。