[发明专利]用于自旋扭矩MRAM的自参考感测放大器有效
| 申请号： | 201380025188.9 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104380384B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | T·安德烈;S·阿兰姆;C·苏博拉玛尼安 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了改善电源噪声抑制、提高具有抗存储体到存储体噪声耦合能力的感测速度以及减小从激活列中的关断字线选择器件的泄露，电路和方法为自旋扭矩磁电阻随机存取存储器阵列提供多个定时控制和偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 扭矩 mram 参考 放大器 | ||
【主权项】：
一种从自旋扭矩磁电阻存储器阵列中的多个存储器单元中的每一个中读取数据的方法，所述方法包括：在耦合至存储器单元的源极线和位线的两端施加读取电压；在第一方向上施加写入电流通过所述存储器单元以写入第一状态；在所述源极线与所述位线两端重新施加所述读取电压；以及对所述位线或者所述源极线中的一个施加可编程偏移电流，其中在所述重新施加步骤期间，但在启动所述重新施加步骤之后施加所述可编程偏移电流。
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