[发明专利]包含N掺杂硅的太阳能电池有效
| 申请号： | 201380024709.9 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104471725B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | M.福斯特;R.艾因豪斯;A.奎瓦斯 | 申请（专利权）人： | 阿波朗.索拉尔公司;澳大利亚国立大学 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光伏打装置，包括具有N掺杂硅基的第一半导体区域(2)，及具有P掺杂硅的第二半导体区域(3)。该两个半导体区域构造为形成PN结。该第一半导体区域(2)无硼且包含浓度至少等于N型掺杂杂质的浓度的20％的P型掺杂杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 掺杂 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种光伏打装置，包括：第一半导体区域(2)，其由N掺杂硅制成；第二半导体区域(3)，其由P掺杂硅制成且构造成与该第一半导体区域(2)形成PN结；其特征在于，该第一半导体区域(2)包含浓度至少等于N型掺杂杂质的浓度的20％的P型掺杂杂质，其中该第一和第二半导体区域(2)和(3)每个包括P型掺杂杂质和N型掺杂杂质，其中该N型掺杂杂质由具有在0.01和0.1ppma之间的浓度的磷形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
