[发明专利]光电转换装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201380024434.9 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104285304A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 西村和仁;奈须野善之;本多真也;山田隆 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法。光电转换装置(10)具有依次层积p型半导体层(31)、i型半导体层(32)以及n型半导体层(33)的光电转换层(3)。p型半导体层(31)由p型硅薄膜(311～313)形成。p型硅薄膜(311，312)利用在1MHz～50MHz的高频功率上叠加100Hz～1kHz的低频脉冲功率后的脉冲功率作为等离子体激发功率，以高频功率的密度为100～300mW/cm2、等离子体处理中的压力为300～600Pa、等离子体处理时的基板温度为140～190℃的条件，沉积具有p型导电型的硅薄膜并且氮化而形成。而且，p型硅薄膜(313)利用上述条件进行沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，为具有将光能转换为电能的光电转换部的光电转换装置；其特征在于，具有：基板；将所述基板作为支承基体而形成，且构成所述光电转换部的硅类半导体层；所述硅类半导体层具有：具有p型导电型的第一硅类半导体层；具有n型导电型的第二硅类半导体层；具有i型导电型的第三硅类半导体层；所述第一硅类半导体层以及所述第二硅类半导体层的至少一方形成为由不含有氮原子的层从厚度方向夹住含有氮原子的层的结构、或形成为由具有低于第一氮原子浓度的第二氮原子浓度的层从厚度方向夹住具有所述第一氮原子浓度的层的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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