[发明专利]采用压电层的自旋晶体管以及相关存储器、存储器系统和方法有效
| 申请号： | 201380024185.3 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104303326B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | Y·杜 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了自旋晶体管以及相关的存储器、存储器系统和方法。自旋晶体管由具有共享多铁层的至少两个磁性隧道结(MTJ)提供。所述多铁层由具有金属电极(金属)的铁磁薄膜(FM通道)之上的压电(PE)薄膜形成。铁磁层用作自旋通道，并且压电层用于转移压电应力，以控制所述通道的自旋状态。共享层的一侧上的MTJ形成自旋晶体管的源极，并且共享层的另一侧上的MTJ形成自旋晶体管的漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 压电 自旋 晶体管 以及 相关 存储器 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种自旋晶体管，包括：第一磁性隧道结(MTJ)，其包括第一铁磁层；第二磁性隧道结(MTJ)，其包括第二铁磁层；以及共享自旋层，其包括：电极；压电电介质层；以及铁磁自旋层，其中，所述铁磁自旋层和所述第一铁磁层形成第一磁性结；其中，所述铁磁自旋层和所述第二铁磁层形成第二磁性结；并且其中，所述第一磁性隧道结(MTJ)形成所述自旋晶体管的源极，所述第二磁性隧道结(MTJ)形成所述自旋晶体管的漏极，并且所述电极形成所述自旋晶体管的栅极。
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