[发明专利]薄膜晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 201380023934.0 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104272463B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;三木绫;田尾博昭;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源‑漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源‑漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源‑漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源‑漏电极的保护膜，其特征在于，所述氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，并且，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层为非晶相，当设所述第二氧化物半导体层包含的金属元素的原子百分比含量分别为[In]、[Zn]、[Sn]时，所述第二氧化物半导体层的薄膜组成，(i)在[In]/([In]+[Sn])≤0.50时，满足下式(1)，[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}－0.5 …(1)(ii)在[In]/([In]+[Sn])＞0.50时，满足下式(2)，[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3 …(2)。
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